2.5. Группа FET — полевые транзисторы

Раздел FET содержит полевые транзисторы в следующем составе.

Полевые транзисторы с управляющим р—га-переходом (тип).

Полевые МОП-транзисторы с изолированным затвором п-канальные с обогащенной подложкой ир-канальные с обедненной подложкой, с раздельными или соединенными выводами подложки и истока (тип).

Полевые МОП-транзисторы с изолированным затвором ге-канальные с обогащенным затвором и р-канальные с обедненным затвором, с раздельными или соединенными выводами подложки и истока (тип).